Dinh-Lam Dang

Nhà nghiên cứu Hồ sơ 5/10

4 công bố · 13 trích dẫn · h-index 2

Thông tin

🏛️Nơi công tác: Trường Đại học Điện lực
🔬Lĩnh vực: Vật lý
✍️Hồ sơ chưa đầy đủ — bổ sung thông tin

Công bố tiêu biểu

Characterization and modeling of 1200V – 100A N – channel 4H-SiC MOSFET8 trích dẫn
HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe) · 2016

Characterization and analytical modeling of 4H-SİC VDMOSFET in the forward operation5 trích dẫn
· 2016 · DOI

Characterization, analysis and modeling of silicon carbide power MOSFET
theses.fr (ABES) · 2019

Financing nuclear power projects: A techno-economic analysis and policy implications
· 2025 · DOI

Về lĩnh vực Vật lý

1.880học giả

36.984công bố

531.898trích dẫn

5.1h-index trung bình

Hướng nghiên cứu phổ biến trong lĩnh vực:

Graphene research and applicationsQuantum Dots Synthesis And Properties2D Materials and ApplicationsPhotonic and Optical DevicesOptical Network TechnologiesChalcogenide Semiconductor Thin Films

Nơi có nhiều học giả lĩnh vực này nhất:

Các con số trên đếm trên hồ sơ hiện có của danh bạ này, không phải số liệu toàn quốc.

Cùng đơn vị — Trường Đại học Điện lực

Cùng ngành Vật lý

Bang V. Dinh

Trường Đại học Công nghiệp

Lê Đại Vương

Khoa Kỹ thuật và Công nghệ

Duy Tien Le

Đại học Quốc gia Hà Nội

Tho-Hue Le

Trường Đại học Văn Lang

Tho Nguyen Duc

Trường Đại học Tôn Đức Thắ

Cong Hao Le

Đại học Quốc gia TP.HCM

Đối chiếu tại: Tìm công trình trên Google Scholar ↗ Tra cứu Google ↗

Danh sách công bố phía trên được tổng hợp từ cơ sở dữ liệu học thuật mở OpenAlex (giấy phép CC0). Đối chiếu hồ sơ gốc trên OpenAlex ↗

Góp ý / Nhận hồ sơ này

Dinh-Lam DangTrường Đại học Điện lực

Nhận hồ sơ

Hồ sơ gốc lưu tạihocthuat.vn— hai trang hiển thị cùng một cơ sở dữ liệu, xác minh ở đâu cũng đồng bộ.