H
Hong-Quan Nguyen
Nhà nghiên cứu Hồ sơ 6/1071 công bố · 742 trích dẫn · h-index 15
Đã sao chép liên kết
Thông tin
- 🏛️Nơi công tác: Trường Đại học Việt Đức
- 🔬Lĩnh vực: Vật lý
- 🆔ORCID: 0000-0002-7623-3973
- ✍️Hồ sơ chưa đầy đủ — bổ sung thông tin
Chỉ số h-index 15 xếp học giả này vào lĩnh vực Vật lý, thuộc nhóm 10% dẫn đầu trong 1.880 hồ sơ cùng lĩnh vực của danh bạ này.
Công bố tiêu biểu
The influences of surface treatment and gas annealing conditions on the inversion behaviors of the atomic-layer-deposition Al2O3/n-In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor capacitor105 trích dẫn
Applied Physics Letters · 2010 · DOI
Applied Physics Letters · 2010 · DOI
Thermo-electro-rheological behaviour of vanadium electrolyte-based electrochemical graphene oxide nanofluid designed for redox flow battery43 trích dẫn
Journal of Molecular Liquids · 2021 · DOI
Journal of Molecular Liquids · 2021 · DOI
Multimodal Fibrous Static and Dynamic Tactile Sensor42 trích dẫn
ACS Applied Materials & Interfaces · 2022 · DOI
ACS Applied Materials & Interfaces · 2022 · DOI
Electrical Characteristics of n, p-In0.53Ga0.47As MOSCAPs With In Situ PEALD-AlN Interfacial Passivation Layer39 trích dẫn
IEEE Transactions on Electron Devices · 2014 · DOI
IEEE Transactions on Electron Devices · 2014 · DOI
Highly sensitive and robust 3C-SiC/Si pressure sensor with stress amplification structure32 trích dẫn
Materials & Design · 2022 · DOI
Materials & Design · 2022 · DOI
Enhanced Electrohydrodynamics for Electrospinning a Highly Sensitive Flexible Fiber-Based Piezoelectric Sensor31 trích dẫn
ACS Applied Electronic Materials · 2022 · DOI
ACS Applied Electronic Materials · 2022 · DOI
Effects of Wet Chemical and Trimethyl Aluminum Treatments on the Interface Properties in Atomic Layer Deposition of Al2O3 on InAs31 trích dẫn
Japanese Journal of Applied Physics · 2010 · DOI
Japanese Journal of Applied Physics · 2010 · DOI
Electrical Characterization of $\hbox{Al}_{2} \hbox{O}_{3}$/n-InAs Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors With Various Surface Treatments29 trích dẫn
IEEE Electron Device Letters · 2011 · DOI
IEEE Electron Device Letters · 2011 · DOI
Porous (001)-faceted Zn-doped anatase TiO 2 nanowalls and their heterogeneous photocatalytic characterization28 trích dẫn
RSC Advances · 2014 · DOI
RSC Advances · 2014 · DOI
Piezotronic effect in a normally off p-GaN/AlGaN/GaN HEMT toward highly sensitive pressure sensor23 trích dẫn
Applied Physics Letters · 2021 · DOI
Applied Physics Letters · 2021 · DOI
Về lĩnh vực Vật lý
1.880học giả
36.984công bố
531.898trích dẫn
5.1h-index trung bình
Hướng nghiên cứu phổ biến trong lĩnh vực:
Graphene research and applicationsQuantum Dots Synthesis And Properties2D Materials and ApplicationsPhotonic and Optical DevicesOptical Network TechnologiesChalcogenide Semiconductor Thin Films
Nơi có nhiều học giả lĩnh vực này nhất:
Đại học Quốc gia TP.HCM · 181
Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam · 136
Đại học Bách khoa Hà Nội · 109
Đại học Quốc gia Hà Nội · 73
Đại học Phenikaa · 60
Các con số trên đếm trên hồ sơ hiện có của danh bạ này, không phải số liệu toàn quốc.
Cùng đơn vị — Trường Đại học Việt Đức
Cùng ngành Vật lý
Danh sách công bố phía trên được tổng hợp từ cơ sở dữ liệu học thuật mở OpenAlex (giấy phép CC0). Đối chiếu hồ sơ gốc trên OpenAlex ↗
Góp ý / Nhận hồ sơ này
Hong-Quan NguyenTrường Đại học Việt Đức
Nhận hồ sơ
Hồ sơ gốc lưu tạihocthuat.vn— hai trang hiển thị cùng một cơ sở dữ liệu, xác minh ở đâu cũng đồng bộ.