H
Huy‐Binh Do
Nhà nghiên cứu Hồ sơ 6/1068 công bố · 712 trích dẫn · h-index 15
Đã sao chép liên kết
Thông tin
- 🏛️Nơi công tác: Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Thành phố Hồ Chí Minh
- 🔬Lĩnh vực: Vật lý
- 🆔ORCID: 0000-0003-3274-5050
- ✍️Hồ sơ chưa đầy đủ — bổ sung thông tin
Chỉ số h-index 15 xếp học giả này vào lĩnh vực Vật lý, thuộc nhóm 10% dẫn đầu trong 1.880 hồ sơ cùng lĩnh vực của danh bạ này.
Công bố tiêu biểu
Mesostructured g-C3N4 nanosheets interconnected with V2O5 nanobelts as electrode for coin-cell-type-asymmetric supercapacitor device91 trích dẫn
Materials Today Energy · 2021 · DOI
Materials Today Energy · 2021 · DOI
Over 30% efficiency bifacial 4-terminal perovskite-heterojunction silicon tandem solar cells with spectral albedo73 trích dẫn
Scientific Reports · 2021 · DOI
Scientific Reports · 2021 · DOI
Layer-by-layer thinning of two-dimensional materials60 trích dẫn
Chemical Society Reviews · 2024 · DOI
Chemical Society Reviews · 2024 · DOI
Technological Evolution of Image Sensing Designed by Nanostructured Materials52 trích dẫn
ACS Materials Letters · 2023 · DOI
ACS Materials Letters · 2023 · DOI
Electrical Characteristics of n, p-In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As MOSCAPs With In Situ PEALD-AlN Interfacial Passivation Layer39 trích dẫn
IEEE Transactions on Electron Devices · 2014 · DOI
IEEE Transactions on Electron Devices · 2014 · DOI
Carboxymethylated Dextran-Coated Magnetic Iron Oxide Nanoparticles for Regenerable Bioseparation33 trích dẫn
Journal of Nanoscience and Nanotechnology · 2011 · DOI
Journal of Nanoscience and Nanotechnology · 2011 · DOI
Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition Passivated HfO<sub>2</sub>/AlN/In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As MOSCAPs With Sub-Nanometer Equivalent Oxide Thickness and Low Interface Trap Density31 trích dẫn
IEEE Electron Device Letters · 2015 · DOI
IEEE Electron Device Letters · 2015 · DOI
Optimization of normally-off β-Ga2O3 MOSFET with high Ion and BFOM: A TCAD study26 trích dẫn
AIP Advances · 2022 · DOI
AIP Advances · 2022 · DOI
Effects of In-Situ Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition Treatment on the Performance of HfO2/In0.53Ga0.47As Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors26 trích dẫn
IEEE Electron Device Letters · 2016 · DOI
IEEE Electron Device Letters · 2016 · DOI
Intense green upconversion in core-shell structured NaYF4:Er,Yb@SiO2 microparticles for anti-counterfeiting printing25 trích dẫn
Ceramics International · 2023 · DOI
Ceramics International · 2023 · DOI
Về lĩnh vực Vật lý
1.880học giả
36.984công bố
531.898trích dẫn
5.1h-index trung bình
Hướng nghiên cứu phổ biến trong lĩnh vực:
Graphene research and applicationsQuantum Dots Synthesis And Properties2D Materials and ApplicationsPhotonic and Optical DevicesOptical Network TechnologiesChalcogenide Semiconductor Thin Films
Nơi có nhiều học giả lĩnh vực này nhất:
Đại học Quốc gia TP.HCM · 181
Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam · 136
Đại học Bách khoa Hà Nội · 109
Đại học Quốc gia Hà Nội · 73
Đại học Phenikaa · 60
Các con số trên đếm trên hồ sơ hiện có của danh bạ này, không phải số liệu toàn quốc.
Cùng đơn vị — Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Thành phố Hồ Chí Minh
Cùng ngành Vật lý
Danh sách công bố phía trên được tổng hợp từ cơ sở dữ liệu học thuật mở OpenAlex (giấy phép CC0). Đối chiếu hồ sơ gốc trên OpenAlex ↗
Góp ý / Nhận hồ sơ này
Huy‐Binh DoTrường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Thành phố Hồ Chí Minh
Nhận hồ sơ
Hồ sơ gốc lưu tạihocthuat.vn— hai trang hiển thị cùng một cơ sở dữ liệu, xác minh ở đâu cũng đồng bộ.