DanhBaHocThuat.comDanh Bạ Học Thuật
0926 138 138
Trang chủHọc giả › Doan Nhat Quang
D

Doan Nhat Quang

Nhà nghiên cứu Hồ sơ 5/10
50 công bố · 327 trích dẫn · h-index 11
Đây là hồ sơ của tôi

Thông tin

Chỉ số h-index 11 xếp học giả này vào lĩnh vực Vật lý, thuộc nhóm 25% dẫn đầu trong 1.880 hồ sơ cùng lĩnh vực của danh bạ này.

Công bố tiêu biểu

Roughness-induced piezoelectric scattering in lattice-mismatched semiconductor quantum wells30 trích dẫn
Physical review. B, Condensed matter · 2003 · DOI
Roughness-induced mechanisms for electron scattering in wurtzite group-III-nitride heterostructures21 trích dẫn
Physical Review B · 2005 · DOI
Random Piezoelectric Field in Real [001]-Oriented Strain-Relaxed Semiconductor Heterostructures21 trích dẫn
Physical Review Letters · 2002 · DOI
Quantum and transport lifetimes due to roughness-induced scattering of a two-dimensional electron gas in wurtzite group-III-nitride heterostructures21 trích dẫn
Physical Review B · 2006 · DOI
A Semiclassical Approach to the Electron Gas in Two-Dimensional Semiconductor Structures20 trích dẫn
physica status solidi (b) · 1998 · DOI
Deep Tail in the Density of States of a Disordered Two-Dimensional Electron Gas18 trích dẫn
physica status solidi (b) · 1998 · DOI
Electron mobility in Gaussian heavily doped ZnO surface quantum wells17 trích dẫn
Physical Review B · 2008 · DOI
Low-temperature mobility of holes in<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">Si</mml:mi><mml:mo>∕</mml:mo><mml:mi mathvariant="normal">Si</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">Ge</mml:mi></mml:mrow></mml:math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mi>p</mml:mi></mml:math>-channel heterostructures16 trích dẫn
Physical Review B · 2004 · DOI
Theory of the channel-width dependence of the low-temperature hole mobility in Ge-rich narrow square<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:mi>Si</mml:mi><mml:mo>∕</mml:mo><mml:mi>SiGe</mml:mi><mml:mo>∕</mml:mo><mml:mi>Si</mml:mi></mml:mrow></mml:math>quantum wells15 trích dẫn
Physical Review B · 2007 · DOI
Key scattering mechanisms limiting the lateral transport in a modulation-doped polar heterojunction14 trích dẫn
Journal of Applied Physics · 2016 · DOI

Về lĩnh vực Vật lý

1.880học giả
36.984công bố
531.898trích dẫn
5.1h-index trung bình

Hướng nghiên cứu phổ biến trong lĩnh vực:

Graphene research and applicationsQuantum Dots Synthesis And Properties2D Materials and ApplicationsPhotonic and Optical DevicesOptical Network TechnologiesChalcogenide Semiconductor Thin Films

Nơi có nhiều học giả lĩnh vực này nhất:

Các con số trên đếm trên hồ sơ hiện có của danh bạ này, không phải số liệu toàn quốc.

Danh sách công bố phía trên được tổng hợp từ cơ sở dữ liệu học thuật mở OpenAlex (giấy phép CC0). Đối chiếu hồ sơ gốc trên OpenAlex ↗

Góp ý / Nhận hồ sơ này

  
Hồ sơ tổng hợp từ nguồn công khai. Chúng tôi tôn trọng quyền chỉnh sửa và gỡ bỏ thông tin của học giả — mọi yêu cầu được xử lý sớm nhất.
Doan Nhat QuangViện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam
Nhận hồ sơ
Hồ sơ gốc lưu tạihocthuat.vn— hai trang hiển thị cùng một cơ sở dữ liệu, xác minh ở đâu cũng đồng bộ.