H
Hai Dang Trinh
Nhà nghiên cứu Hồ sơ 5/1020 công bố · 285 trích dẫn · h-index 7
Đã sao chép liên kết
Thông tin
- 🏛️Nơi công tác: Trường Đại học Công nghiệp Hà Nội
- 🔬Lĩnh vực: Vật lý
- ✍️Hồ sơ chưa đầy đủ — bổ sung thông tin
Chỉ số h-index 7 xếp học giả này vào lĩnh vực Vật lý, thuộc nhóm 25% dẫn đầu trong 1.880 hồ sơ cùng lĩnh vực của danh bạ này.
Công bố tiêu biểu
The influences of surface treatment and gas annealing conditions on the inversion behaviors of the atomic-layer-deposition Al2O3/n-In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor capacitor105 trích dẫn
Applied Physics Letters · 2010 · DOI
Applied Physics Letters · 2010 · DOI
Normally-off operation AlGaN/GaN MOS-HEMT with high threshold voltage43 trích dẫn
Electronics Letters · 2010 · DOI
Electronics Letters · 2010 · DOI
Electrical Characteristics of n, p-In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As MOSCAPs With In Situ PEALD-AlN Interfacial Passivation Layer39 trích dẫn
IEEE Transactions on Electron Devices · 2014 · DOI
IEEE Transactions on Electron Devices · 2014 · DOI
Electrical Characterization of $\hbox{Al}_{2} \hbox{O}_{3}$/n-InAs Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors With Various Surface Treatments29 trích dẫn
IEEE Electron Device Letters · 2011 · DOI
IEEE Electron Device Letters · 2011 · DOI
Band Alignment Parameters of Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/InSb Metal–Oxide–Semiconductor Structure and Their Modification with Oxide Deposition Temperatures20 trích dẫn
Applied Physics Express · 2013 · DOI
Applied Physics Express · 2013 · DOI
Electrical Characterization and Materials Stability Analysis of ${\rm La}_{2}{\rm O}_{3}/{\rm HfO}_{2}$ Composite Oxides on n-${\rm In}_{0.53}{\rm Ga}_{0.47}{\rm As}$ MOS Capacitors With Different Annealing Temperatures16 trích dẫn
IEEE Electron Device Letters · 2013 · DOI
IEEE Electron Device Letters · 2013 · DOI
Electrical Characteristics of ${\rm Al}_{2}{\rm O}_{3}/{\rm InSb}$ MOSCAPs and the Effect of Postdeposition Annealing Temperatures13 trích dẫn
IEEE Transactions on Electron Devices · 2013 · DOI
IEEE Transactions on Electron Devices · 2013 · DOI
In0.5Ga0.5As-Based Metal - Oxide - Semiconductor Capacitor on GaAs Substrate Using Metal - Organic Chemical Vapor Deposition6 trích dẫn
IEEE Transactions on Electron Devices · 2012 · DOI
IEEE Transactions on Electron Devices · 2012 · DOI
The growth and fabrication of high-performance In<inf>0.5</inf>Ga<inf>0.5</inf>As metal-oxide-semiconductor capacitor on GaAs substrate by metalorganic chemical vapor deposition method5 trích dẫn
· 2012 · DOI
· 2012 · DOI
C–V characteristics of epitaxial germanium metal–oxide–semiconductor capacitor on GaAs substrate with ALD Al2O3 dielectric4 trích dẫn
Microelectronic Engineering · 2012 · DOI
Microelectronic Engineering · 2012 · DOI
Về lĩnh vực Vật lý
1.880học giả
36.984công bố
531.898trích dẫn
5.1h-index trung bình
Hướng nghiên cứu phổ biến trong lĩnh vực:
Graphene research and applicationsQuantum Dots Synthesis And Properties2D Materials and ApplicationsPhotonic and Optical DevicesOptical Network TechnologiesChalcogenide Semiconductor Thin Films
Nơi có nhiều học giả lĩnh vực này nhất:
Đại học Quốc gia TP.HCM · 181
Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam · 136
Đại học Bách khoa Hà Nội · 109
Đại học Quốc gia Hà Nội · 73
Đại học Phenikaa · 60
Các con số trên đếm trên hồ sơ hiện có của danh bạ này, không phải số liệu toàn quốc.
Cùng đơn vị — Trường Đại học Công nghiệp Hà Nội
Cùng ngành Vật lý
Danh sách công bố phía trên được tổng hợp từ cơ sở dữ liệu học thuật mở OpenAlex (giấy phép CC0). Đối chiếu hồ sơ gốc trên OpenAlex ↗
Góp ý / Nhận hồ sơ này
Hai Dang TrinhTrường Đại học Công nghiệp Hà Nội
Nhận hồ sơ
Hồ sơ gốc lưu tạihocthuat.vn— hai trang hiển thị cùng một cơ sở dữ liệu, xác minh ở đâu cũng đồng bộ.