T
Thi Tran Anh Tuan
Nhà nghiên cứu Hồ sơ 6/1033 công bố · 294 trích dẫn · h-index 10
Đã sao chép liên kết
Thông tin
- 🏛️Nơi công tác: Trường Đại học Trà Vinh
- 🔬Lĩnh vực: Vật lý
- 🆔ORCID: 0000-0003-2336-7588
- ✍️Hồ sơ chưa đầy đủ — bổ sung thông tin
Chỉ số h-index 10 xếp học giả này vào lĩnh vực Vật lý, thuộc nhóm 25% dẫn đầu trong 1.880 hồ sơ cùng lĩnh vực của danh bạ này.
Công bố tiêu biểu
Characteristics of RF reactive sputter-deposited Pt/SiO2/n-InGaN MOS Schottky diodes32 trích dẫn
Materials Science in Semiconductor Processing · 2014 · DOI
Materials Science in Semiconductor Processing · 2014 · DOI
Electrical properties of RF-sputtered Zn-doped GaN films and p -Zn-GaN/ n -Si hetero junction diode with low leakage current of 10 −9 A and a high rectification ratio above 10 532 trích dẫn
Materials Science and Engineering B · 2017 · DOI
Materials Science and Engineering B · 2017 · DOI
Schottky barrier characteristics of Pt contacts to all sputtering-made n-type GaN and MOS diodes30 trích dẫn
Journal of Materials Science Materials in Electronics · 2014 · DOI
Journal of Materials Science Materials in Electronics · 2014 · DOI
Thin film solar cell based on p-CuSbS2 together with Cd-free GaN/InGaN bilayer25 trích dẫn
Journal of Materials Science Materials in Electronics · 2016 · DOI
Journal of Materials Science Materials in Electronics · 2016 · DOI
Electrical and structural properties of Mg-doped InxGa1−xN (x≤0.1) and p-InGaN/n-GaN junction diode made all by RF reactive sputtering23 trích dẫn
Materials Science and Engineering B · 2014 · DOI
Materials Science and Engineering B · 2014 · DOI
Preparation of CuSbS2 Thin Films by Co-Sputtering and Solar Cell Devices with Band Gap-Adjustable n-Type InGaN as a Substitute of ZnO19 trích dẫn
Journal of Electronic Materials · 2015 · DOI
Journal of Electronic Materials · 2015 · DOI
Temperature dependence of electrical characteristics of n-In Ga1−N/p-Si hetero-junctions made totally by RF magnetron sputtering19 trích dẫn
Thin Solid Films · 2015 · DOI
Thin Solid Films · 2015 · DOI
Reactively Sputtered Sb-GaN Films and its Hetero-Junction Diode: The Exploration of the n-to-p Transition14 trích dẫn
Coatings · 2020 · DOI
Coatings · 2020 · DOI
3D simulation of coaxial carbon nanotube field effect transistor11 trích dẫn
Journal of Physics Conference Series · 2009 · DOI
Journal of Physics Conference Series · 2009 · DOI
Electrical and Structural Properties of All-Sputtered Al/SiO2/p-GaN MOS Schottky Diode10 trích dẫn
Coatings · 2019 · DOI
Coatings · 2019 · DOI
Về lĩnh vực Vật lý
1.880học giả
36.984công bố
531.898trích dẫn
5.1h-index trung bình
Hướng nghiên cứu phổ biến trong lĩnh vực:
Graphene research and applicationsQuantum Dots Synthesis And Properties2D Materials and ApplicationsPhotonic and Optical DevicesOptical Network TechnologiesChalcogenide Semiconductor Thin Films
Nơi có nhiều học giả lĩnh vực này nhất:
Đại học Quốc gia TP.HCM · 181
Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam · 136
Đại học Bách khoa Hà Nội · 109
Đại học Quốc gia Hà Nội · 73
Đại học Phenikaa · 60
Các con số trên đếm trên hồ sơ hiện có của danh bạ này, không phải số liệu toàn quốc.
Cùng đơn vị — Trường Đại học Trà Vinh
Cùng ngành Vật lý
Danh sách công bố phía trên được tổng hợp từ cơ sở dữ liệu học thuật mở OpenAlex (giấy phép CC0). Đối chiếu hồ sơ gốc trên OpenAlex ↗
Góp ý / Nhận hồ sơ này
Thi Tran Anh TuanTrường Đại học Trà Vinh
Nhận hồ sơ
Hồ sơ gốc lưu tạihocthuat.vn— hai trang hiển thị cùng một cơ sở dữ liệu, xác minh ở đâu cũng đồng bộ.